NT5CC256M16DP-FLNA vs K4B4G1646E-BYMA 比較
詳細並排比較 NT5CC256M16DP-FLNA 由 Nanya Technology 與 K4B4G1646E-BYMA 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | NT5CC256M16DP-FLNA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| 品牌 | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 單價 (USD) | — | $14.32 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4 Gb | — |
| 供應電壓 | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| 資料速率 | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1866 Mbps/pin |
| CAS 延遲 | 11, 12, 13 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Number of Banks | 8 | — |
| 介面 | SSTL-15 | — |
| 封裝 | BGA-96 (13x9 mm) | FBGA-96 |
| 工作溫度 | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh | Auto self-refresh, auto precharge | — |
| 功能特色 | Write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration, data mask, asynchronous reset | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| 安裝類型 | — | Surface Mount |
| 腳位數 | — | 96 |