W634GU6RB09I vs K4B4G1646D-BYH9 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা W634GU6RB09I নির্দিষ্ট Winbond ও K4B4G1646D-BYH9 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | W634GU6RB09I | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Winbond | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | — |
| মেমরি সাইজ | 4Gbit (256M x 16) | — |
| ডেটা বাস প্রস্থ | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 1.067 GHz | — |
| CAS লেটেন্সি | 20 ns | Programmable |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V | 1.35 V |
| প্যাকেজ | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96FBGA |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40C to +95C | 0 ~ 85 °C |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ইন্টারফেস | Parallel | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Voltage - I/O | 1.35 V | — |
| Density | — | 4 Gb |
| ডেটা রেট | — | 1333 Mbps |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |