W634GU6RB09I vs K4B4G1646D-BYH9 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار W634GU6RB09I توسط Winbond و K4B4G1646D-BYH9 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | W634GU6RB09I | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| برند | Winbond | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | — |
| اندازه حافظه | 4Gbit (256M x 16) | — |
| عرض گذرگاه داده | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 1.067 GHz | — |
| تأخیر CAS | 20 ns | Programmable |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V | 1.35 V |
| بسته‌بندی | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96FBGA |
| دمای کاری | -40C to +95C | 0 ~ 85 °C |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| رابط | Parallel | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Voltage - I/O | 1.35 V | — |
| Density | — | 4 Gb |
| نرخ داده | — | 1333 Mbps |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |