W634GU6RB09I vs K4B4G1646D-BYH9 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از W634GU6RB09I بذریعہ Winbond اور K4B4G1646D-BYH9 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | W634GU6RB09I | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| برانڈ | Winbond | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | — |
| میموری سائز | 4Gbit (256M x 16) | — |
| ڈیٹا بس چوڑائی | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 1.067 GHz | — |
| CAS لیٹنسی | 20 ns | Programmable |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35 V |
| پیکیج | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40C to +95C | 0 ~ 85 °C |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Voltage - I/O | 1.35 V | — |
| Density | — | 4 Gb |
| ڈیٹا ریٹ | — | 1333 Mbps |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |