W634GU6RB09I vs K4B4G1646D-BYH9 So sánh
So sánh chi tiết song song của W634GU6RB09I bằng Winbond và K4B4G1646D-BYH9 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | W634GU6RB09I | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Winbond | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | — |
| Kích thước bộ nhớ | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Bề rộng đường dữ liệu | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 1.067 GHz | — |
| Latency CAS | 20 ns | Programmable |
| Điện áp cung cấp | 1.35 V | 1.35 V |
| Hộp | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96FBGA |
| Nhiệt độ hoạt động | -40C to +95C | 0 ~ 85 °C |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Giao diện | Parallel | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tổ chức | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Voltage - I/O | 1.35 V | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Tốc độ dữ liệu | — | 1333 Mbps |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Đông trùng haogen | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |