IRFP250MPBF vs IRFP2907PBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFP250MPBF מאת Infineon ו IRFP2907PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFP250MPBF IRFP2907PBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) $2.55 —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRFP250MPBF IRFP2907PBF
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel)
Drain-Source Voltage (Vds) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 4 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 214 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז / Case TO-247AC (3-pin + tab) —
סוג הרכבה Through Hole —
מספר פינים 3 —
Avalanche Rated Yes Yes (repetitive avalanche rated)
סטטוס RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
רמת MSL 1 (unlimited) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C — 209 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 4.5 mOhm at V_GS = 10 V
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C — 470 W
Total Gate Charge (Q_g) — 410 nC
Maximum Junction Operating Temperature — +175 C
Package / Mounting Type — TO-247AC (Through Hole)
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
Body Diode — Integral (no external anti-parallel diode required)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר