1ED44176N01FXUMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1ED44176N01FXUMA1 द्वारा Infineon और 1EDN7116GXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
1ED44176N01FXUMA1 - 25V 1-Channel Low-Side Gate Driver IC | Infineon
1ED44176N01FXUMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 1ED44176N01FXUMA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| फ़ंक्शन | Low-side gate driver with integrated OCP, FAULT, EN | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Configuration | Non-inverting, single-channel, low-side | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Input Compatibility | CMOS, TTL | — |
| VCC Supply Voltage Range | 4.5 V to 25 V | — |
| Peak Source Current (typ.) | 0.8 A | — |
| Peak Sink Current (typ.) | 1.75 A | — |
| Propagation Delay (typ.) | 50 ns | — |
| OCP Threshold Tolerance | ±5% | — |
| OCP Reference | 800 mV to 1.2 V (per LCSC listing) | — |
| Enable Input | Yes (EN, active-high) | — |
| Fault Output | Yes (FAULT, open-drain) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40 C to +125 C | — |
| पैकेज | 8-pin PG-DSO8 (SOIC-8) | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Family | EiceDRIVER | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | MSL3 |
| Driver Configuration | — | Non-inverting, single low-side |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | — | 4 A (typ) |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Propagation Delay (Typ) | — | 9 ns |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| Miller Clamp | — | Integrated, active |
| UVLO | — | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40 °C to +125 °C |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |