1ED44176N01FXUMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED44176N01FXUMA1 מאת Infineon ו 1EDN7116GXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
1ED44176N01FXUMA1 - 25V 1-Channel Low-Side Gate Driver IC | Infineon
1ED44176N01FXUMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | 1ED44176N01FXUMA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| פונקציה | Low-side gate driver with integrated OCP, FAULT, EN | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Configuration | Non-inverting, single-channel, low-side | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Input Compatibility | CMOS, TTL | — |
| VCC Supply Voltage Range | 4.5 V to 25 V | — |
| Peak Source Current (typ.) | 0.8 A | — |
| Peak Sink Current (typ.) | 1.75 A | — |
| Propagation Delay (typ.) | 50 ns | — |
| OCP Threshold Tolerance | ±5% | — |
| OCP Reference | 800 mV to 1.2 V (per LCSC listing) | — |
| Enable Input | Yes (EN, active-high) | — |
| Fault Output | Yes (FAULT, open-drain) | — |
| טמפרטורת פעולה | -40 C to +125 C | — |
| מארז | 8-pin PG-DSO8 (SOIC-8) | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Family | EiceDRIVER | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | MSL3 |
| Driver Configuration | — | Non-inverting, single low-side |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | — | 4 A (typ) |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Propagation Delay (Typ) | — | 9 ns |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| Miller Clamp | — | Integrated, active |
| UVLO | — | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40 °C to +125 °C |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |