1ED44176N01FXUMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của 1ED44176N01FXUMA1 bằng Infineon và 1EDN7116GXTMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
1ED44176N01FXUMA1 - 25V 1-Channel Low-Side Gate Driver IC | Infineon
1ED44176N01FXUMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
1EDN7116GXTMA1 - 200V Single-Channel GaN Gate Driver IC | Infineon
1EDN7116GXTMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | 1ED44176N01FXUMA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Chức năng | Low-side gate driver with integrated OCP, FAULT, EN | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Configuration | Non-inverting, single-channel, low-side | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Input Compatibility | CMOS, TTL | — |
| VCC Supply Voltage Range | 4.5 V to 25 V | — |
| Peak Source Current (typ.) | 0.8 A | — |
| Peak Sink Current (typ.) | 1.75 A | — |
| Propagation Delay (typ.) | 50 ns | — |
| OCP Threshold Tolerance | ±5% | — |
| OCP Reference | 800 mV to 1.2 V (per LCSC listing) | — |
| Enable Input | Yes (EN, active-high) | — |
| Fault Output | Yes (FAULT, open-drain) | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40 C to +125 C | — |
| Hộp | 8-pin PG-DSO8 (SOIC-8) | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Family | EiceDRIVER | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | MSL3 |
| Driver Configuration | — | Non-inverting, single low-side |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | — | 4 A (typ) |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Propagation Delay (Typ) | — | 9 ns |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| Miller Clamp | — | Integrated, active |
| UVLO | — | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -40 °C to +125 °C |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |