1ED44176N01FXUMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1ED44176N01FXUMA1 بذریعہ Infineon اور 1EDN7116GXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
1ED44176N01FXUMA1 - 25V 1-Channel Low-Side Gate Driver IC | Infineon
1ED44176N01FXUMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | 1ED44176N01FXUMA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فنکشن | Low-side gate driver with integrated OCP, FAULT, EN | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Configuration | Non-inverting, single-channel, low-side | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Input Compatibility | CMOS, TTL | — |
| VCC Supply Voltage Range | 4.5 V to 25 V | — |
| Peak Source Current (typ.) | 0.8 A | — |
| Peak Sink Current (typ.) | 1.75 A | — |
| Propagation Delay (typ.) | 50 ns | — |
| OCP Threshold Tolerance | ±5% | — |
| OCP Reference | 800 mV to 1.2 V (per LCSC listing) | — |
| Enable Input | Yes (EN, active-high) | — |
| Fault Output | Yes (FAULT, open-drain) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40 C to +125 C | — |
| پیکیج | 8-pin PG-DSO8 (SOIC-8) | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Family | EiceDRIVER | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | MSL3 |
| Driver Configuration | — | Non-inverting, single low-side |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | — | 4 A (typ) |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Propagation Delay (Typ) | — | 9 ns |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| Miller Clamp | — | Integrated, active |
| UVLO | — | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -40 °C to +125 °C |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |