2ED2103S06FXUMA1 vs IR2104SPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2ED2103S06FXUMA1 द्वारा Infineon और IR2104SPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2ED2103S06FXUMA1 2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IR2104SPBF IR2104SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2104SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2104SPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2ED2103S06FXUMA1 IR2104SPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
फ़ंक्शन Half-Bridge Gate Driver Half-bridge gate driver
Configuration Non-Inverting High and Low Side
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
पैकेज PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) 8-pin SOIC
माउंटिंग प्रकार Surface Mount —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40C to +125C -40 C to +125 C
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS स्थिति Compliant Compliant (PBF suffix indicates lead-free)
Input Type — Logic (non-inverting)
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current — 130 mA typical
Output Sink Current — 270 mA typical
Propagation Delay — 680 ns typical
राइज़ टाइम — 160 ns typical
फॉल टाइम — 60 ns typical
Undervoltage Lockout — Yes (VCC UVLO)
Deadtime — Internally set
Cross-Conduction Prevention — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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