2ED2103S06FXUMA1 vs IR2104SPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2ED2103S06FXUMA1 توسط Infineon و IR2104SPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
2ED2103S06FXUMA1 2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 ✓ فعال
Infineon
IR2104SPBF IR2104SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2104SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2104SPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 2ED2103S06FXUMA1 IR2104SPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Half-Bridge Gate Driver Half-bridge gate driver
Configuration Non-Inverting High and Low Side
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
بسته‌بندی PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) 8-pin SOIC
نوع نصب Surface Mount —
محدوده دمای کاری -40C to +125C -40 C to +125 C
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (PBF suffix indicates lead-free)
Input Type — Logic (non-inverting)
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current — 130 mA typical
Output Sink Current — 270 mA typical
Propagation Delay — 680 ns typical
زمان صعود — 160 ns typical
زمان افت — 60 ns typical
Undervoltage Lockout — Yes (VCC UVLO)
Deadtime — Internally set
Cross-Conduction Prevention — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت