BSS138LT1G-VB vs 2N7002LT1G तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS138LT1G-VB द्वारा VBsemi Elec और 2N7002LT1G द्वारा onsemi. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

VBsemi Elec
BSS138LT1G-VB BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB ✓ सक्रिय
onsemi
2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSS138LT1G-VB 2N7002LT1G
ब्रांड VBsemi Elec onsemi
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vdss) 50 V —
Continuous Drain Current (Id) 200 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 225 mW (Ta) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पैकेज SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Configuration Single FET Single FET
Gate Threshold Voltage (Vgs th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) Max [DATA_NEEDED: RDS(on)] —
Drive Voltage [DATA_NEEDED: drive voltage] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS स्थिति Compliant —
Manufacturer VBsemi Elec onsemi (ON Semiconductor)
Equivalent To onsemi BSS138LT1G —
Polarity — N-Channel
Channel Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
पिन की संख्या — 3
श्रेणी — Small Signal MOSFET
Technology — MOSFET
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — [DATA_NEEDED: packaging type]

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध