BSS138LT1G-VB vs 2N7002LT1G Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS138LT1G-VB tarafından VBsemi Elec ve 2N7002LT1G tarafından onsemiAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

VBsemi Elec
BSS138LT1G-VB BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS138LT1G-VB 2N7002LT1G
Marka VBsemi Elec onsemi
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vdss) 50 V —
Continuous Drain Current (Id) 200 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 225 mW (Ta) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Paket SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Configuration Single FET Single FET
Gate Threshold Voltage (Vgs th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) Max [DATA_NEEDED: RDS(on)] —
Drive Voltage [DATA_NEEDED: drive voltage] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS Durumu Compliant —
Manufacturer VBsemi Elec onsemi (ON Semiconductor)
Equivalent To onsemi BSS138LT1G —
Polarity — N-Channel
Channel Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
Pin Sayısı — 3
Kategori — Small Signal MOSFET
Technology — MOSFET
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — [DATA_NEEDED: packaging type]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin