CSD19534Q5A vs BSC520N15NS3 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना CSD19534Q5A द्वारा Texas Instruments और BSC520N15NS3 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Texas Instruments
CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments
CSD19534Q5A ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | CSD19534Q5A | BSC520N15NS3 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Texas Instruments | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | NexFET (Power MOSFET) | OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | — |
| On-Resistance RDS(on) | 12.6 mΩ (typ per datasheet description) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.2 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 63 W | — |
| पैकेज | 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] | — |
| MSL स्तर | 1-260C-UNLIM | 1 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| पिन काउंट | 8 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 21 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 84 A |
| On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | — | 52 mOhm |
| Gate-Source Voltage VGS max | — | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3 V |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 57 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +150C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Body Diode | — | Intrinsic, avalanche-rated |