CSD19534Q5A vs BSC520N15NS3 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma CSD19534Q5A tarafından Texas Instruments ve BSC520N15NS3 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Texas Instruments
CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments
CSD19534Q5A ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | CSD19534Q5A | BSC520N15NS3 |
|---|---|---|
| Marka | Texas Instruments | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | NexFET (Power MOSFET) | OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | — |
| On-Resistance RDS(on) | 12.6 mΩ (typ per datasheet description) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.2 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 63 W | — |
| Paket | 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] | — |
| MSL Seviyesi | 1-260C-UNLIM | 1 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 21 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 84 A |
| On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | — | 52 mOhm |
| Gate-Source Voltage VGS max | — | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3 V |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 57 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +150C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Body Diode | — | Intrinsic, avalanche-rated |