CSD19534Q5A vs CSD18503Q5A तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना CSD19534Q5A द्वारा Texas Instruments और CSD18503Q5A द्वारा Texas Instruments. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Texas Instruments
CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments
CSD19534Q5A ✓ सक्रियTexas Instruments
CSD18503Q5A - 40V N-Channel NexFET MOSFET 4.3mOhm | Texas Instruments
CSD18503Q5A ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | CSD19534Q5A | CSD18503Q5A |
|---|---|---|
| ब्रांड | Texas Instruments | Texas Instruments |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | NexFET (Power MOSFET) | NexFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | — |
| On-Resistance RDS(on) | 12.6 mΩ (typ per datasheet description) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.2 W | 3.1 W |
| Power Dissipation (Tc) | 63 W | 120 W |
| पैकेज | 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad | 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] | — |
| MSL स्तर | 1-260C-UNLIM | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| पिन काउंट | 8 | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical) |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 100 A |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +150C |
| Configuration | — | Single |
| Gate Charge | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| पिन की संख्या | — | 8 |