CSD19534Q5A vs CSD18503Q5A השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של CSD19534Q5A מאת Texas Instruments ו CSD18503Q5A מאת Texas Instruments. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Texas Instruments
CSD19534Q5A CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר CSD19534Q5A CSD18503Q5A
מותג Texas Instruments Texas Instruments
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Technology NexFET (Power MOSFET) NexFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
On-Resistance RDS(on) 12.6 mΩ (typ per datasheet description) —
Power Dissipation (Ta) 3.2 W 3.1 W
Power Dissipation (Tc) 63 W 120 W
מארז 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
רמת MSL 1-260C-UNLIM —
סטטוס RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
מספר פינים 8 —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
On-Resistance (RDS(on)) — 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical)
Continuous Drain Current (Ta) — 19 A
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +150C
Configuration — Single
Gate Charge — [DATA_NEEDED: Qg]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
מספר פינים — 8

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר