CSD19534Q5A vs CSD18503Q5A Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma CSD19534Q5A tarafından Texas Instruments ve CSD18503Q5A tarafından Texas InstrumentsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Texas Instruments
CSD19534Q5A CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre CSD19534Q5A CSD18503Q5A
Marka Texas Instruments Texas Instruments
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology NexFET (Power MOSFET) NexFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
On-Resistance RDS(on) 12.6 mΩ (typ per datasheet description) —
Power Dissipation (Ta) 3.2 W 3.1 W
Power Dissipation (Tc) 63 W 120 W
Paket 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
MSL Seviyesi 1-260C-UNLIM —
RoHS Durumu Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Pin Sayısı 8 —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
On-Resistance (RDS(on)) — 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical)
Continuous Drain Current (Ta) — 19 A
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Configuration — Single
Gate Charge — [DATA_NEEDED: Qg]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Pin Sayısı — 8

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin