H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-RDC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN4G8NBJR-VKC द्वारा SK hynix और H5AN4G8NBJR-RDC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| डेटा दर | 2666 Mbps (DDR4-2666) | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| पैकेज | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS स्थिति | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) |
| Packaging | Tray | — |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Active | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| संगठन | — | 512M x 8 |
| इंटरफ़ेस | — | DDR4 (Double Data Rate IV) |
| सप्लाई वोल्टेज | — | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| Bank Architecture | — | 8 banks with 4 bank groups (x8) |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Manufacturer | — | SK hynix |
| Family Series | — | H5AN4G4/8/6NBJR |