H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-RDC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN4G8NBJR-VKC מאת SK hynix ו H5AN4G8NBJR-RDC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| קצב נתונים | 2666 Mbps (DDR4-2666) | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| מארז | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Auto-refresh and self-refresh |
| סטטוס RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) |
| Packaging | Tray | — |
| סטטוס מחזור חיים | Active | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| ארגון | — | 512M x 8 |
| ממשק | — | DDR4 (Double Data Rate IV) |
| מתח אספקה | — | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| Bank Architecture | — | 8 banks with 4 bank groups (x8) |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Manufacturer | — | SK hynix |
| Family Series | — | H5AN4G4/8/6NBJR |