H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-RDC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN4G8NBJR-VKC tarafından SK hynix ve H5AN4G8NBJR-RDC tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-RDC
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 4 Gb —
Memory Organization 512M x8 —
Veri Hızı 2666 Mbps (DDR4-2666) [DATA_NEEDED: speed grade Mbps]
Memory Interface Parallel —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Paket FBGA-78 (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Volatile / Non-Volatile Volatile —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] Auto-refresh and self-refresh
RoHS Durumu Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant)
Packaging Tray —
Yaşam Döngüsü Durumu Active —
Density — 4 Gbit
Organizasyon — 512M x 8
Arayüz — DDR4 (Double Data Rate IV)
Besleme Gerilimi — [DATA_NEEDED: VDD supply voltage]
Bank Architecture — 8 banks with 4 bank groups (x8)
Temperature Grade — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Termination — On-Die Termination (ODT)
Process Technology — CMOS
Manufacturer — SK hynix
Family Series — H5AN4G4/8/6NBJR

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin