H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-RDC So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN4G8NBJR-VKC bằng SK hynix và H5AN4G8NBJR-RDC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-RDC
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 4 Gb —
Memory Organization 512M x8 —
Tốc độ dữ liệu 2666 Mbps (DDR4-2666) [DATA_NEEDED: speed grade Mbps]
Memory Interface Parallel —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Hộp FBGA-78 (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Volatile / Non-Volatile Volatile —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] Auto-refresh and self-refresh
Trạng thái RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant)
Packaging Tray —
Trạng thái vòng đời Active —
Density — 4 Gbit
Tổ chức — 512M x 8
Giao diện — DDR4 (Double Data Rate IV)
Điện áp cung cấp — [DATA_NEEDED: VDD supply voltage]
Bank Architecture — 8 banks with 4 bank groups (x8)
Temperature Grade — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Termination — On-Die Termination (ODT)
Process Technology — CMOS
Manufacturer — SK hynix
Family Series — H5AN4G4/8/6NBJR

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá