H5AN8G6NAFR-UHC vs K4A8G085WB-BIWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G6NAFR-UHC द्वारा SK hynix और K4A8G085WB-BIWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G6NAFR-UHC | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V |
| डेटा दर | 2400 MT/s | 3200 Mbps |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA (TFBGA) | 78-FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | 0°C to +85°C |
| Refresh | Auto self-refresh | Auto-refresh, self-refresh |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | — |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |