H5AN8G6NAFR-UHC vs K4A8G085WB-BIWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G6NAFR-UHC מאת SK hynix ו K4A8G085WB-BIWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G6NAFR-UHC | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| ארגון | 512M x 16 | — |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2 V |
| קצב נתונים | 2400 MT/s | 3200 Mbps |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| מארז | 96-ball FBGA (TFBGA) | 78-FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | 0°C to +85°C |
| Refresh | Auto self-refresh | Auto-refresh, self-refresh |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | — |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| גודל זיכרון | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Lead-Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |