H5AN8G8NCJR-XNC vs H5AN8G8NDJR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G8NCJR-XNC द्वारा SK hynix और H5AN8G8NDJR द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G8NCJR-XNC | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $30.69 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | — |
| संगठन | 1 Gb x 8 | 1G x 8 |
| डेटा दर | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 C to +85 C | 0°C to +95°C (Tc) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (8-bit data interface) | — |
| Architecture | Bank-group based DDR4 | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| Calibration | ZQ calibration, write leveling | — |
| Error Handling | CRC function | — |
| Reset | Asynchronous reset | — |
| Data Mask | Data mask function | — |
| Current - Operating | 39 mA | — |
| Current - Standby | 30 mA | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| CAS लेटेंसी | — | 22 (typical) |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |