H5AN8G8NCJR-XNC vs H5AN8G8NDJR موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G8NCJR-XNC بذریعہ SK hynix اور H5AN8G8NDJR بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5AN8G8NDJR H5AN8G8NDJR - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | SK hynix

H5AN8G8NDJR - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | SK hynix

H5AN8G8NDJR ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5AN8G8NCJR-XNC H5AN8G8NDJR
برانڈ SK hynix SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gbit —
تنظیم 1 Gb x 8 1G x 8
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 MT/s
Clock Frequency 1.6 GHz —
سپلائی وولٹیج 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) —
پیکیج 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm FBGA-78 (7.5x11 mm)
آپریٹنگ درجہ حرارت 0 C to +85 C 0°C to +95°C (Tc)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
انٹرفیس DDR4 (8-bit data interface) —
Architecture Bank-group based DDR4 —
Refresh Auto self-refresh —
Precharge Auto precharge —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
Calibration ZQ calibration, write leveling —
Error Handling CRC function —
Reset Asynchronous reset —
Data Mask Data mask function —
Current - Operating 39 mA —
Current - Standby 30 mA —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes —
Density — 8 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
VDDQ — 1.2 V
VPP — 2.5 V
CAS لیٹنسی — 22 (typical)
tRCD — 22 ns
tRP — 22 ns
Burst Length — 8 and 4 (with burst chop)
Self-Refresh Current — 30 mA (typical)
Active Standby Current — 60 mA (typical)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں