H5AN8G8NCJR-XNC vs H5AN8G8NDJR השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G8NCJR-XNC מאת SK hynix ו H5AN8G8NDJR מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G8NCJR-XNC | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $30.69 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gbit | — |
| ארגון | 1 Gb x 8 | 1G x 8 |
| קצב נתונים | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| מתח אספקה | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) | — |
| מארז | 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| טמפרטורת פעולה | 0 C to +85 C | 0°C to +95°C (Tc) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| ממשק | DDR4 (8-bit data interface) | — |
| Architecture | Bank-group based DDR4 | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| Calibration | ZQ calibration, write leveling | — |
| Error Handling | CRC function | — |
| Reset | Asynchronous reset | — |
| Data Mask | Data mask function | — |
| Current - Operating | 39 mA | — |
| Current - Standby | 30 mA | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| השהיית CAS | — | 22 (typical) |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |