H5AN8G8NCJR-XNC vs H5AN8G8NDJR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G8NCJR-XNC بواسطة SK hynix و H5AN8G8NDJR بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G8NCJR-XNC | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | — |
| التنظيم | 1 Gb x 8 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| جهد التغذية | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) | — |
| العلبة | 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| درجة حرارة التشغيل | 0 C to +85 C | 0°C to +95°C (Tc) |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| الواجهة | DDR4 (8-bit data interface) | — |
| Architecture | Bank-group based DDR4 | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| Calibration | ZQ calibration, write leveling | — |
| Error Handling | CRC function | — |
| Reset | Asynchronous reset | — |
| Data Mask | Data mask function | — |
| Current - Operating | 39 mA | — |
| Current - Standby | 30 mA | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| زمن الوصول CAS | — | 22 (typical) |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |