IPD068N10N3GATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD068N10N3GATMA1 द्वारा Infineon और IAUZ40N10S5N130ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD068N10N3GATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD068N10N3GATMA1 | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD068N10N3GATMA1 | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) | OptiMOS 5 (super-junction trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 6.8 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.0 V to 4.0 V (typical) | — |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| MSL स्तर | 1 | — |
| Packing | Tape & Reel (T/R) | — |
| Qualification | Industrial (non-automotive) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 13 mΩ |
| RDS(on) typical | — | 10 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 68 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free / RoHS | — | ROHS3 Compliant |