IPD068N10N3GATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD068N10N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUZ40N10S5N130ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD068N10N3GATMA1 ✓ فعالInfineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD068N10N3GATMA1 | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD068N10N3GATMA1 | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) | OptiMOS 5 (super-junction trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 6.8 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.0 V to 4.0 V (typical) | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| MSL لیول | 1 | — |
| Packing | Tape & Reel (T/R) | — |
| Qualification | Industrial (non-automotive) | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 13 mΩ |
| RDS(on) typical | — | 10 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 68 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free / RoHS | — | ROHS3 Compliant |