IPD068N10N3GATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD068N10N3GATMA1 מאת Infineon ו IAUZ40N10S5N130ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD068N10N3GATMA1 ✓ פעילInfineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPD068N10N3GATMA1 | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD068N10N3GATMA1 | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) | OptiMOS 5 (super-junction trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 6.8 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.0 V to 4.0 V (typical) | — |
| מארז | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 C to +175 C | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| רמת MSL | 1 | — |
| Packing | Tape & Reel (T/R) | — |
| Qualification | Industrial (non-automotive) | — |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 13 mΩ |
| RDS(on) typical | — | 10 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 68 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free / RoHS | — | ROHS3 Compliant |