IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN95R1K2P7ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPN80R4K5P7ATMA1 द्वारा Infineon और IPN95R1K2P7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 - 800V 1.5A CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN80R4K5P7ATMA1 - 800V 1.5A CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN80R4K5P7ATMA1 ✓ सक्रिय
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IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN95R1K2P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN95R1K2P7ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPN80R4K5P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 1.5 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 6 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 4.5 ohm max —
पैकेज PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) SOT-223-3 (PG-SOT223)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) CoolMOS P7 (Super Junction)
Operating Mode Enhancement-mode —
Grade Industrial —
Application Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Reel / Tape Packaging Tape & Reel (T/R) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 950 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 6 A
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V — 1200 mOhm (1.2 Ohm)
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) — 10 V
Power Dissipation (T_C) — 7 W
पिन काउंट — 3 (2 + Tab)
Series — CoolMOS P7
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +150C
Packaging — Tape & Reel
Part Status — Active

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