IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN95R1K2P7ATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPN80R4K5P7ATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPN95R1K2P7ATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPN80R4K5P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 1.5 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 6 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 4.5 ohm max —
Kemasan PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) SOT-223-3 (PG-SOT223)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) CoolMOS P7 (Super Junction)
Operating Mode Enhancement-mode —
Grade Industrial —
Application Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers —
Status RoHS Compliant Compliant
Reel / Tape Packaging Tape & Reel (T/R) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 950 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 6 A
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V — 1200 mOhm (1.2 Ohm)
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) — 10 V
Power Dissipation (T_C) — 7 W
Kiraan Pin — 3 (2 + Tab)
Series — CoolMOS P7
Gambaran Suhu Operasi — -55C to +150C
Packaging — Tape & Reel
Part Status — Active

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga