IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN95R1K2P7ATMA1 Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil IPN80R4K5P7ATMA1 dari Infineon dan IPN95R1K2P7ATMA1 dari Infineon. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum IPN80R4K5P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 1.5 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 6 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 4.5 ohm max —
Paket PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) SOT-223-3 (PG-SOT223)
Tipe Mounting Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) CoolMOS P7 (Super Junction)
Operating Mode Enhancement-mode —
Grade Industrial —
Application Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers —
Status RoHS Compliant Compliant
Reel / Tape Packaging Tape & Reel (T/R) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 950 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 6 A
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V — 1200 mOhm (1.2 Ohm)
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) — 10 V
Power Dissipation (T_C) — 7 W
Jumlah Pin — 3 (2 + Tab)
Series — CoolMOS P7
Rentang Suhu Kerja — -55C to +150C
Packaging — Tape & Reel
Part Status — Active

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon