IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN95R1K2P7ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPN80R4K5P7ATMA1 توسط Infineon و IPN95R1K2P7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPN80R4K5P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 1.5 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 6 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 4.5 ohm max —
بسته‌بندی PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) SOT-223-3 (PG-SOT223)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) CoolMOS P7 (Super Junction)
Operating Mode Enhancement-mode —
Grade Industrial —
Application Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Reel / Tape Packaging Tape & Reel (T/R) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 950 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 6 A
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V — 1200 mOhm (1.2 Ohm)
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) — 10 V
Power Dissipation (T_C) — 7 W
تعداد پایه — 3 (2 + Tab)
Series — CoolMOS P7
محدوده دمای کاری — -55C to +150C
Packaging — Tape & Reel
Part Status — Active

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت