IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN95R1K2P7ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPN80R4K5P7ATMA1 מאת Infineon ו IPN95R1K2P7ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPN80R4K5P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 1.5 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 6 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 4.5 ohm max —
מארז PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) SOT-223-3 (PG-SOT223)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) CoolMOS P7 (Super Junction)
Operating Mode Enhancement-mode —
Grade Industrial —
Application Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Reel / Tape Packaging Tape & Reel (T/R) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 950 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 6 A
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V — 1200 mOhm (1.2 Ohm)
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) — 10 V
Power Dissipation (T_C) — 7 W
מספר פינים — 3 (2 + Tab)
Series — CoolMOS P7
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +150C
Packaging — Tape & Reel
Part Status — Active

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר