IRF540 vs IRF540NSTRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF540 द्वारा STMicroelectronics और IRF540NSTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF540 | IRF540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | STMicroelectronics | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 22 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 85 W (Tc) | — |
| RDS(on) Typical | 0.050 Ohm | — |
| RDS(on) Maximum at 10 V Gate Drive | 77 mOhm (family typ.) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Total Gate Charge] | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | — |
| Avalanche Rating | Repetitive avalanche rated, 100% avalanche tested, data at 100C | — |
| पैकेज | TO-220 (through hole) | D2PAK (TO-263), surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| Technology | Avalanche-rugged power MOSFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| RoHS स्थिति | unknown | Compliant (Pb-free) |
| Gate Drive Recommendation | 10 V for full enhancement | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 110 A (per datasheet pulse curve) |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | — | 44 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 47.3 nC (typical) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 130 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +175 C |
| Packaging | — | Tape & Reel (13-inch reel) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized) |