IRF540 vs IRF540NSTRLPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF540 tarafından STMicroelectronics ve IRF540NSTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF540 | IRF540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| Marka | STMicroelectronics | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 22 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 85 W (Tc) | — |
| RDS(on) Typical | 0.050 Ohm | — |
| RDS(on) Maximum at 10 V Gate Drive | 77 mOhm (family typ.) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Total Gate Charge] | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +175C | — |
| Avalanche Rating | Repetitive avalanche rated, 100% avalanche tested, data at 100C | — |
| Paket | TO-220 (through hole) | D2PAK (TO-263), surface mount |
| Montaj Türü | Through Hole | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| Technology | Avalanche-rugged power MOSFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| RoHS Durumu | unknown | Compliant (Pb-free) |
| Gate Drive Recommendation | 10 V for full enhancement | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 110 A (per datasheet pulse curve) |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | — | 44 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 47.3 nC (typical) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 130 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +175 C |
| Packaging | — | Tape & Reel (13-inch reel) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized) |