IRF540 vs IRF540NSTRLPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF540 bằng STMicroelectronics và IRF540NSTRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF540 | IRF540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | STMicroelectronics | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 22 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 85 W (Tc) | — |
| RDS(on) Typical | 0.050 Ohm | — |
| RDS(on) Maximum at 10 V Gate Drive | 77 mOhm (family typ.) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Total Gate Charge] | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +175C | — |
| Avalanche Rating | Repetitive avalanche rated, 100% avalanche tested, data at 100C | — |
| Hộp | TO-220 (through hole) | D2PAK (TO-263), surface mount |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| Technology | Avalanche-rugged power MOSFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| Trạng thái RoHS | unknown | Compliant (Pb-free) |
| Gate Drive Recommendation | 10 V for full enhancement | — |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 110 A (per datasheet pulse curve) |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | — | 44 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 47.3 nC (typical) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 130 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 C to +175 C |
| Packaging | — | Tape & Reel (13-inch reel) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized) |