IRF540 vs IRF540NSTRLPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF540 بذریعہ STMicroelectronics اور IRF540NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF540 | IRF540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | STMicroelectronics | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 22 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 85 W (Tc) | — |
| RDS(on) Typical | 0.050 Ohm | — |
| RDS(on) Maximum at 10 V Gate Drive | 77 mOhm (family typ.) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Total Gate Charge] | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +175C | — |
| Avalanche Rating | Repetitive avalanche rated, 100% avalanche tested, data at 100C | — |
| پیکیج | TO-220 (through hole) | D2PAK (TO-263), surface mount |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| Technology | Avalanche-rugged power MOSFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| RoHS اسٹیٹس | unknown | Compliant (Pb-free) |
| Gate Drive Recommendation | 10 V for full enhancement | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 110 A (per datasheet pulse curve) |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | — | 44 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 47.3 nC (typical) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 130 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +175 C |
| Packaging | — | Tape & Reel (13-inch reel) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized) |