IRFB7545PBF vs IRL2910STRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFB7545PBF द्वारा Infineon और IRL2910STRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFB7545PBF | IRL2910STRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRFB7545PBF | — |
| Technology | StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) | HEXFET (Infineon/IR) |
| Polarity | N-Channel | — |
| VDS (Drain-Source Voltage) max | 60 V | — |
| VGS (Gate-Source Voltage) max | ±20 V | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 5.9 mOhm | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 95 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 380 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Single-Pulse Avalanche Current (IAS) | 57 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 125 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | 1.0 C/W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | — |
| पैकेज | TO-220AB (Through-Hole) | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole (THT) | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Lead-Free, PBF suffix) | — |
| MSL स्तर | N/A (Through-Hole) | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | — | 55 A |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V | — | 26 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | Logic-level (1V-2V) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 93.3 nC |
| Power Dissipation @ TA=25C | — | 3.8 W |
| Power Dissipation @ TC=25C | — | 200 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C (TJ) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| हैलोजन फ्री | — | Compliant (per GlobalSpec) |