IRFB7545PBF vs IRL2910STRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB7545PBF بذریعہ Infineon اور IRL2910STRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFB7545PBF IRL2910STRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFB7545PBF —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) HEXFET (Infineon/IR)
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) max 60 V —
VGS (Gate-Source Voltage) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 5.9 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 380 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) 57 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج TO-220AB (Through-Hole) D2PAK (TO-263) Surface Mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole (THT) Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-Free, PBF suffix) —
MSL لیول N/A (Through-Hole) —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Avalanche Energy Rated Yes —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 55 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V — 26 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — Logic-level (1V-2V)
Total Gate Charge (Qg) — 93.3 nC
Power Dissipation @ TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation @ TC=25C — 200 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C (TJ)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
ہیلوجن فری — Compliant (per GlobalSpec)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں