IRFB7545PBF vs IRL2910STRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFB7545PBF توسط Infineon و IRL2910STRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFB7545PBF IRL2910STRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFB7545PBF —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) HEXFET (Infineon/IR)
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) max 60 V —
VGS (Gate-Source Voltage) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 5.9 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 380 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) 57 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی TO-220AB (Through-Hole) D2PAK (TO-263) Surface Mount
نوع نصب Through Hole (THT) Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-Free, PBF suffix) —
سطح MSL N/A (Through-Hole) —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Avalanche Energy Rated Yes —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 55 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V — 26 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — Logic-level (1V-2V)
Total Gate Charge (Qg) — 93.3 nC
Power Dissipation @ TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation @ TC=25C — 200 W
محدوده دمای کاری — -55C to +175C (TJ)
وضعیت RoHS — Compliant
بدون هالوژن — Compliant (per GlobalSpec)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت