IRFB7545PBF vs IRL2910STRLPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFB7545PBF tarafından Infineon ve IRL2910STRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFB7545PBF | IRL2910STRLPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRFB7545PBF | — |
| Technology | StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) | HEXFET (Infineon/IR) |
| Polarity | N-Channel | — |
| VDS (Drain-Source Voltage) max | 60 V | — |
| VGS (Gate-Source Voltage) max | ±20 V | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 5.9 mOhm | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 95 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 380 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Single-Pulse Avalanche Current (IAS) | 57 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 125 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | 1.0 C/W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +175C | — |
| Paket | TO-220AB (Through-Hole) | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| Montaj Türü | Through Hole (THT) | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Lead-Free, PBF suffix) | — |
| MSL Seviyesi | N/A (Through-Hole) | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | — | 55 A |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V | — | 26 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | Logic-level (1V-2V) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 93.3 nC |
| Power Dissipation @ TA=25C | — | 3.8 W |
| Power Dissipation @ TC=25C | — | 200 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C (TJ) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Klorürsüz | — | Compliant (per GlobalSpec) |