IRFR3806TRPBF vs IRFR2405TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR3806TRPBF द्वारा Infineon और IRFR2405TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR3806TRPBF | IRFR2405TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 43 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 15.8 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 22 nC | 70 nC |
| Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C | 71 W | — |
| पैकेज / केस | TO-252AA (DPAK) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Number of Units in IC | 1 | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | — |
| Avalanche Rated | Yes (HEXFET family) | Yes (100% avalanche tested) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 56 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 16 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| पैकेज | — | TO-252AA (DPAK) |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate, Drain, Source) + Tab |
| MSL स्तर | — | 1 |
| RoHS स्थिति | — | Compliant (Lead-Free PBF suffix) |
| हैलोजन फ्री | — | [DATA_NEEDED: halogen-free status] |