IRFR3806TRPBF vs IRFR2405TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR3806TRPBF بواسطة Infineon و IRFR2405TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR3806TRPBF | IRFR2405TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 43 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 15.8 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 22 nC | 70 nC |
| Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C | 71 W | — |
| العلبة / الحالة | TO-252AA (DPAK) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Number of Units in IC | 1 | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | — |
| Avalanche Rated | Yes (HEXFET family) | Yes (100% avalanche tested) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 56 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 16 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +175C |
| العلبة | — | TO-252AA (DPAK) |
| عدد الأطراف | — | 3 (Gate, Drain, Source) + Tab |
| مستوى MSL | — | 1 |
| حالة RoHS | — | Compliant (Lead-Free PBF suffix) |
| خالٍ من الهالوجين | — | [DATA_NEEDED: halogen-free status] |