IRFR3806TRPBF vs IRFR2405TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR3806TRPBF توسط Infineon و IRFR2405TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR3806TRPBF IRFR2405TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC 70 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
بسته‌بندی / کیس TO-252AA (DPAK) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) Yes (100% avalanche tested)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
بسته‌بندی — TO-252AA (DPAK)
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
سطح MSL — 1
وضعیت RoHS — Compliant (Lead-Free PBF suffix)
بدون هالوژن — [DATA_NEEDED: halogen-free status]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت