IRFR3806TRPBF vs IRFR2405TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR3806TRPBF tarafından Infineon ve IRFR2405TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFR3806TRPBF | IRFR2405TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 43 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 15.8 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 22 nC | 70 nC |
| Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C | 71 W | — |
| Paket / Kas | TO-252AA (DPAK) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Number of Units in IC | 1 | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | — |
| Avalanche Rated | Yes (HEXFET family) | Yes (100% avalanche tested) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 56 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 16 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +175C |
| Paket | — | TO-252AA (DPAK) |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain, Source) + Tab |
| MSL Seviyesi | — | 1 |
| RoHS Durumu | — | Compliant (Lead-Free PBF suffix) |
| Klorürsüz | — | [DATA_NEEDED: halogen-free status] |