K4A8G085WB-BCTD vs H5AN8G6NDJR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WB-BCTD द्वारा Samsung Electronics और H5AN8G6NDJR द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCTD ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WB-BCTD | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $8.53 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| संगठन | 1G x 8 | 512M x 16 |
| डेटा दर | 2666 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V |
| Die Revision | B-die | — |
| पैकेज | FBGA-78 (78-ball TFBGA) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Bank Structure | 16 banks, 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Termination | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT | — |
| विशेषताएँ | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Speed Bin | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) | — |
| Terminations | 78 | — |
| JEDEC-30 Package Code | R-PBGA-B78 | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| CAS लेटेंसी | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |